LED關鍵製程、設備與量測技術系列課程
【LED關鍵製程、設備與量測技術全系列課程】
課程涵蓋技術與實務應用，從瞭解全球與台灣LED製程與設備產業發展現況到LED製程與設備產業發展趨勢與關鍵議題、以專利地圖分析目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反應室設計、氣體引入設計、基板加熱與轉動設計、系統及基板傳送設計、氣體流量控制設計、檢測設備等分類進行設備探討。此外,現場實地介紹MOCVD設計，包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施，如真空設備、尾氣處理設備、MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項，並對MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。
台灣LED產業結構中在生產製造部份已相當的完整，但關鍵材料與生產設備仍多仰賴進口，LED結構通常以MOCVD設備進行量產，但缺乏設備廠商支援，使我國LED產業難以維持競爭優勢。MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果。
近年全球LED產業變化劇烈，在亞洲國家大舉投入下，陷入市場低價化與製造低毛利的嚴峻考驗。 國內廠商如何運用製程技術能力的領先與全球分工架構地位之優勢，在LED照明市場萌芽初期即建立我國產業競爭優勢，為我國LED產業持續發展關鍵。
本課程涵蓋技術與實務應用，從瞭解全球與台灣LED製程與設備產業發展現況到LED製程與設備產業發展趨勢與關鍵議題、以專利地圖分析目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反應室設計、氣體引入設計、基板加熱與轉動設計、系統及基板傳送設計、氣體流量控制設計、檢測設備等分類進行設備探討。此外,現場實地介紹MOCVD設計，包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施，如真空設備、尾氣處理設備、MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項，並對MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。
■ 課程特色
本課程涵蓋技術與實務應用介紹從LED製程與設備產業發展趨勢與關鍵議題、並以專利地圖分析目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之設備探討。配合現場實地介紹MOCVD設計，包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施，如真空設備、尾氣處理設備、MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項，並對MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。以實務經驗深入淺出的引導學員迅速瞭解LED製程與設備技術面臨之挑戰議題，讓學員親自實作與體驗!
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單元 |
課程主題 |
時數 |
開課地點 |
課程日期 |
原價 |
優惠價 |
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一 |
LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析 |
6 |
台北 |
101/07/06 |
3500 |
3000 |
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二 |
LED量測與真空鍍膜設備技術 |
7 |
台北 |
101/07/20 |
4000 |
3500 |
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三 |
LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計 |
6 |
台北 |
101/08/03 |
3500 |
3000 |
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四 |
MOCVD磊晶技術製程實作研習班 |
6 |
新竹 |
101/08/17 |
4500 |
4000 |
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※ 開課十日前報名且完成繳費，或同公司二人(含)以上團報可享優惠價！！
■ 培訓目標
本課程將讓學員建立從事LED製程與設備所需要之基本知識與技能、如何掌握國際市場、材料、元件、製程與設備專利等相關技術術發展，以加快產品開發達到成功商品化的目標，使國內業掌握LED製程與設備技術發展競爭力。
■ 培訓對象
1.從事光電LED/OLED顯示與照明、綠色能源、玻璃業、微奈米、薄膜技術、IC半導體相關產業人員…等。
2.機械設備產業人員，精密機械、自動化…等。
3.各研究機構研究人員、大專院校研究生及學生。
4.對本課程有興趣或產官學研等人士。從事LED光電、照明產業之設計研發人員
5.對LED光電熱量測技術和設備有興趣者
■ 課程大鋼
◎ 課程簡介
台灣LED產業結構中在生產製造部份已相當的完整，但關鍵材料與生產設備仍多仰賴進口，LED結構通常以MOCVD設備進行量產，但缺乏設備廠商支援，使我國LED產業難以維持競爭優勢。MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果，本課程介紹MOCVD磊晶設備原理，同時介紹目前業界對 LED於磊晶可能面臨相關問題，及磊晶設備技術發展趨勢作一探討。對於目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反應室設計、氣體引入設計、基板加熱與轉動設計、系統及基板傳送設計、氣體流量控制設計、檢測設備等分類進行設備專利地圖分析，另外也對於各種不同MOCVD設備作說明。
◎ 課程目標
透過LED 磊晶設備技術發展趨勢說明，可以了解台灣LED產業結構、關鍵材料、專利分佈、MOCVD設備原理。
◎ 課程特色
MOCVD設備趨勢圖、國內外設備技術差異、MOCVD設備專利功效矩陣圖、MOCVD設備模擬分析
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課 程 大 綱 |
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一、LED製程與設備產業趨勢
二、LED 磊晶設備技術發展趨勢
三、MOCVD設備技術與專利分析
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講 師 |
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王 副組長 黃 博士 |
Ø 課程日期：101年7月6日（五） ， 09：30∼16：30，共6小時。
Ø 課程費用：每人3,500元整；開課十日前報名或同一公司二人(含)以上報名，每人3,000元
Ø 上課地點：工研院產業學院 台北學習中心。（實際地點依上課通知為準）
本課程介紹真空鍍膜設備有關電控之相關技術，以及真空鍍膜設備之加熱功用和各種加熱方式與溫度量測方法；並介紹加熱技術其相關應用，讓學員了解真空鍍膜設備之各種加熱技術，增進加熱技術職能知識。對於LED光學特性量測相關量測設備光學理論及標準與光性參數的計算方法也有詳細的說明，期望能提升真空鍍膜設備之加熱技術有興趣及從事光電設備相關產業工程人員之專業技術，並透過此課程讓學員了解LED光學特性量測方法及設備評估需求。
◎ 課程特色
有關真空鍍膜設備之電控設計、真空鍍膜設備之加熱技術、LED發光原理與製程
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課 程 大 綱 |
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一、真空鍍膜設備之電控介紹 |
三、LED量測設備與技術發展 |
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講 師 |
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楊 副理 李 工程師 陳 工程師 |
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Ø 課程日期：101年7月20日（五） ， 9：00∼17：00，共7小時。
Ø 費 用：每人 4,000元整；開課十日前報名或同一公司二人(含)以上報名，每人3,500元
Ø 上課地點：工研院產業學院 台北學習中心。（實際地點依上課通知為準）
◎ 課程簡介
程著重於使學員瞭解LED原理與製程技術。探討現今影響發光二極體效能之因素，並以實驗結果結合模擬理論分析清楚地介紹其機制為何，使得學員不單單只是了解到發光二極體之結構設計，更可清楚的了解其背後之物理機制等，並分享實際案例與現今文獻作比較。
另氮化物發光二極體有詳盡的介紹介紹，透過模擬理論分析與實驗結果講述高效率高功率InGaN LED如何設計與成長。讓欲從事發光二極體磊晶製程人士更加了解高效能氮化物發光二極體之磊晶結構，縮短切入的時間與提升基礎的知識。
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課 程 大 綱 |
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一、LED原理與製程技術 二、高效能高功率InGaN LED |
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講 師 |
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林 教授 傅 博士 |
Ø 課程日期：101年8月3日（五） ， 09：30∼16：30，共6小時。
Ø 費 用：每人 3,500元整；開課十日前報名或同一公司二人(含)以上報名，每人3,000元
Ø 上課地點：工研院產業學院 台北學習中心。（實際地點依上課通知為準）
◎ 課程簡介
LED結構通常以MOCVD設備進行量產，MOCVD磊晶技術將悠關整體LED結構良率與亮度，MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果，本課程介紹MOCVD磊晶原理與應該注意事項，同時介紹目前業界對 LED於磊晶可能面臨相關問題先行進行預防。
課程配合實驗室實機操作，學員於大量實做中，能夠迅速掌握MOCVD磊晶的方法與趨勢。
現場實地介紹MOCVD設計，包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施，如真空設備、尾氣處理設備、
MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項，同時對於MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。
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課 程 大 綱 |
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一、MOCVD磊晶技術(含GaN on Si技術) 二、MOCVD磊晶製程實作與設備介紹 |
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講 師 |
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林 博士 |
Ø 課程日期：101年8月17日（五） ， 09：30∼16：30，共6小時。
Ø 費 用：每人 4,500元整；開課十日前報名或同一公司二人(含)以上報名，每人4,000元
Ø 上課地點：國立交通大學(新竹市大學路1001號)
■ 課程費用
► 報名全系列： 全系列課程原價每人 15,500 元（含稅、講義、午餐） 。
※優惠方案：6月26日前完成繳費或同公司2人(含)以上團報全系列者，每人優惠價 12,500 元。
► 報名單門課： 6hr課程原價3,500/人；7hr課程原價4,000/人；實作課程6hr原價4,500/人、。
※優惠方案：開課十日前報名且完成繳費或同公司2人(含)以上報名，6hr課程每人3,000元、7hr課程每人3,500元；實作6hr課程每人4,000元。
■ 報名諮詢
報名方式：
1.點選亞太教育訓練網下方之「我要報名」按鈕進而填寫報名資訊即可。
2.或電洽：
※注意事項※ 為確保您的上課權益，報名後若未收到任何回覆，請來電洽詢方完成報名
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