碳化矽（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種由碳和矽兩種元素組成的化合物半導體材料，具備寬能帶（Energy Gap，3.2 eV）、熱導率高、耐擊穿電壓高、電子漂移速率高等特點。在電動車、AI、能源、6G通訊與生醫等具未來性的產業中，化合物半導體扮演著關鍵角色。

本課程內容從化合物半導體產業鏈的發展分為基板材料、磊晶、元件製造與終端應用四個構面。從基礎理論到實踐應用，全面解析SiC（碳化矽粉體）的特性、製備技術以及長晶過程中的關鍵技術與挑戰，以提升學員在高純度SiC粉體製程及應用方面的知識和實踐能力。

學員完訓能夠瞭解：

1. 碳化矽粉體(SiC)的基本特性、製備方法、在不同應用領域中的重要性和潛在價值。
2.  SiC元件製造的流程及品質管控要點。

1. 專業師資：工研院領域專家帶領學習。
2. 技術發展與前景：課程結合實際應用案例進行討論和分析。

陶瓷、材料化工、電子、光電產業的研發、材料、製程人員。

備註：本課程保留議程異之權利

材料、化工、電子、光電等相關科系基礎知識。

工研院先進陶瓷與無機半導體材料研究組講師群

n   主辦單位：工研院產業學院新竹學習中心(光復院區)

n   舉辦地點：工研院中興院區

n   舉辦日期：113年10月17~31日08：30 – 17：30，共計24小時

1.        參加全程課程，出席率達80%，將取得工研院產業學院核發「高純度SiC粉體先進製程與應用研習班」培訓證書。

2.        學員亦可選擇參加單一課程，完課後將取得工研院產業學院核發單堂課之培訓證書。

1.        為確保您的上課權益，報名後若未收到任何回覆，敬請來電洽詢方完成報名。

2.        因課前教材、講義及餐點之準備及需為您進行退款相關事宜，若您不克前來，請於開課三日前告知，以利行政作業進行並共同愛護資源。

3.        若原報名者因故不克參加，但欲更換他人參加，敬請於開課前二日通知。

4.        學員於開訓前退訓者，將依其申請退還所繳上課費用90％，另於培訓期間若因個人因素無法繼續參與課程，將依上課未逾總時數1/3，退還所繳上課費用之50％，上課逾總時數1/3，則不退費。

5.        課程主辦單位保留是否接受報名之權利。

6.        為尊重講師之智慧財產權益，無法提供課程講義電子檔。

7.        如遇不可抗拒之因素，課程主辦單位保留修訂課程日期、更換講師、取消課程的權利。