最新磁阻式記憶體(MRAM)技術發展
現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)..
因應High Speed及Huge storage市場需求,次世代記憶體也將有爆炸性的發展。眾多新型態記憶體中,MRAM磁阻式記憶體,具有低耗能、寫入速度快等特性,因而成為產學各方研發重點項目。 現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)為基本架構的MRAM (magnetoresistive random access memory),期待在製程不斷微縮化的過程中,能夠將尺寸小的STT-MRAM 作為嵌入式記憶體 (embedded memory)。
上課地址:工業技術研究院 台北學習中心
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■課程簡介 因應High Speed及Huge storage市場需求,次世代記憶體也將有爆炸性的發展。眾多新型態記憶體中,MRAM磁阻式記憶體,具有低耗能、寫入速度快等特性,因而成為產學各方研發重點項目。 現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)為基本架構的MRAM (magnetoresistive random access memory),期待在製程不斷微縮化的過程中,能夠將尺寸小的STT-MRAM 作為嵌入式記憶體 (embedded memory)。 除了 STT 以外,另外一種新型態的SOT (spin-orbit torque)自旋矩,自旋電流可以被有效率地產生。穩定應用在8吋晶圓製程上,SOT-MARM將成為未來市場主流。
■課程大綱
■課程日期 107年10月9日(二),09:30∼16:30 共6小時。 ■上課地點 工研院產業學院 台北學習中心。實際地點依上課通知為準! ■ 課程聯絡人 02-2370-1111分機316李小姐、分機309徐小姐
講師簡介
講師簡介:白奇峰
現職:台灣大學材料系 教授 學歷:康乃爾大學應用物理 博士 國立臺灣大學材料/物理 雙學士 經歷:
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產業學院緣起
依據行政院「挑戰2008:國家發展重點計畫」下之「國際創新研發基地」與「產業高值化」兩計畫,首重產業科技人才的效能。
•911216經科字第09103373120號函:經濟部將本院籌設工研院產業學院之工作,列為因應產業結構轉型,提 ... more