車用晶片規格暨ESD防護布局設計與分析.

本課程旨在提供學員對於車用晶片規格、ESD(靜電放電)防護和布局設計的深入了解。

適合對象:
課程代碼 2323060040
車用晶片規格暨ESD防護布局設計與分析
課程型態/ 實體
上課地址/ 新竹
時數/ 14小時
起迄日期/ 2023/10/12~2023/10/13
聯絡資訊/ 黃凡瑄 03-5732302
報名截止日/ 2023/10/01

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課程介紹

  車用晶片在現代汽車中扮演著關鍵的角色,用於控制車輛的各種功能,包括引擎管理系統、安全系統、娛樂系統等。然而,汽車環境中存在著嚴苛的條件,例如電磁干擾、溫度變化和機械振動,這些因素對車用晶片的性能和可靠性提出了極高的要求。

  本課程旨在提供學員對於車用晶片規格ESD(靜電放電)防護和布局設計的深入了解。課程將介紹車用晶片的基本架構和功能,並探討在車輛環境中所面臨的挑戰。學員將學習車用晶片的相關規格,以確保其性能和可靠性符合標準。

  此外,課程還將深入探討ESD防護的重要性以及相關的技術案例和標準。學員將學習如何設計有效的ESD防護電路和佈局,以確保晶片在面臨靜電放電事件時能夠正常運作。

  本課程將從車用BCD IC的規格談起,介紹製造車用BCD IC的適當SOA製程範圍,並介紹各種HV CMOS元器件、HV元件的汲極工程、電性行為,進而談論LV/HV ESD單元的佈局準則與專利,如何保護HV LDMOSHV 積體電路ESD防護,期許學員能對車用MCU IC製程及元件結構充分理解,並熟悉HV IC靜電防護設計及可靠度考量之意義。

  無論您是從事汽車電子工程、半導體設計或是對車用晶片感興趣,本課程都將為您提供實用且全面的知識,幫助您在車用晶片領域取得更大的成就。

 

 

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課程目標

  1.介紹車用BCD晶片電氣規格

  2.理解高壓CMOS製程技術及平台

  3.理解各種高壓CMOS元件結構及其應用

  4.理解LV/HV ESD單元的佈局準則

  5.理解如何做好車用高壓 LDMOS 電路之ESD免疫防護

 

 

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課程特色

  1.針對車用晶片做一系列的介紹。

  2.本課程內容包含車用晶片規格、高壓半導體技術,理論與專利案例解析,期望學員能更了解車用晶片ESD實務案例。

 

 

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課程對象

  本課程適合現職從事IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員 。

  1.理工科系畢有興趣學員。

  2.現職IC設計之RD工程師,也適合新進工程師或欲培育第二專長者。

 

 

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課程大綱

第一天:

時間

課程大綱

內容

09:00

~

11:00

Automotive BCD Chip Specifications

(車用BCD晶片規格)

l   Specifications for a Automotive Power Management IC

(汽車電源管理IC規格)

l   IC Features and  Function Block

(IC特性與功能模組)

l   Absolute Maximum Ratings and Function Range

(絕對最大額定值與功能)

11:00

~

12:00

High-Voltage BCD Technologies

(車用高壓 BCD 半導體技術)

l   What’s an HV Technology ?

(何謂高電壓之科技)

l   Auto Electronic Products Use the HV Process

(汽車電子產品之高壓製程)

12:00

~

13:00

午休

 

13:00

~

14:00

High-Voltage BCD Technologies

(車用高壓 BCD 半導體技術)

l   Foundries (Design House) Provide the Auto-grade BCD Processes & Products

(製造與設計端對汽車BCD製程與產品)

l   What Are the Automotive Electronics Requirements?

(何謂汽車電子的規格要求)

14:00

~

17:00

Device Engineering for Auto HV Devices

(車用高壓元件半導體工程技術)

l   Basic Concepts of an HV IC Device

(高壓IC元件的基本概念)

l   Drain Engineering of Auto HV Devices

(汽車高壓元件的Drain工程)

l   E-field/Lattice Temp. Simulations of Lateral HV Devices

(高壓元件的電場、晶格溫度模擬)

l   Isolation in LV/HV BCD MOSFETs

(LV/HV BCD MOSFETs的隔離方法)

l   Electrical Behaviors: BVDSS, Rdson and SOA

(電性行為:BVDSS, Rdson and SOA)

 

第二天:

時間

課程大綱

內容

09:00

~

12:00

Layout Rules and Patents for LV/HV ESD Cells

(LV/HV ESD單元的佈局準則與專利)

l   ESD Important Layout Parameters

(ESD重要佈局參數)

l   LV ESD Layout Rules and Patents

(LV ESD布局規則和專利)

l   HV ESD Layout Rules and Patents

(高壓元件的ESD布局規則與專利)

l   Design Guidelines for ESD Protection Circuits

(ESD保護電路設計指南)

12:00

~

13:00

午休

 

13:00

~

16:00

Automotive HV MOSFET ESD Protection Designs

(車用HV MOSFET ESD防護設計)

l   Troubles in an Automotive HV nMOSFET

(汽車高壓nMODFET中的問題)

l   Why ESD/LU Immunities So Weak in an LDMOS?

(LDMOSESD/LU抗擾度較弱的原因)

l   How to Layout the LDMOS ESD Cell?

(如何布局LDMOSESD單元)

l   ESD Protection Methods and Patens for the Automotive HV LDMOS

(汽車高壓LDMOSESD防護與專利)

16:00

~

17:00

Summary

Course Conclusion and Summary

 ★主辦單位及講師保留調整課程內容之權利

 

 

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舉辦地點與方式

  舉辦地點/方式
       本課程將以實體課為主,後續將視中央疫情規定,配合動態調整授課方式,或改為線上直播方式辦理。
       若為實體課,將於新竹訓練中心舉辦。
       若為線上直播,將採用Cisco Webex,確定開課前一周用Email寄送上課通知、講義、Webex Meetings連結網址及Webex與會者操作手冊,屆時請詳閱。依上課通知,於課程前30分鐘,與學員進行連線測試,確認: 署名,操作,及喇叭、麥克風、視訊等裝置設定。

     實際上課地點/方式,請依上課通知為準!

 

 

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上課日期及費用

n  舉辦日期:2023/10/12 ()10/13(), 09:00~17:00, 報到時間: 08:30~09:00

n   報名截止日期:10/1

n  課程費用:含稅、講義

方案

價格

一般報名

15,000/

早鳥價(需在開課前三週報名)

13,500/

3人以上團報價

12,800/

 

 

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貼心提醒

  1.為確保您的上課權益,報名後若未收到任何回覆,敬請來電洽詢。

  2.若原報名者因故不克參加,但欲更換他人參加,敬請於開課前二日通知。

  3.尊重老師之智慧財產權,授課時請勿錄影錄音。

  4.視疫情狀況,本課程保留實體授課或線上授課之權利。

 

 

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附件



簡介


產業學院緣起
  依據行政院「挑戰2008:國家發展重點計畫」下之「國際創新研發基地」與「產業高值化」兩計畫,首重產業科技人才的效能。

•911216經科字第09103373120號函:經濟部將本院籌設工研院產業學院之工作,列為因應產業結構轉型,提